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Cientistas chineses criaram o transistor mais rápido e eficiente
Foto: Reprodução

Um transmissor é um dispositivo eletrônico semicondutor que consegue responder a um sinal de entrada, entregando uma saída determinada. Por exemplo, no caso de um amplificador eletrônico, ele aumentará a potência, a tensão ou a corrente do sinal que foi colocado na entrada, na saída. Existem vários tipos dele, mas agora, os cientistas chineses dizem ter criado o transistor mais rápido e eficiente existente.

 

Os transmissores são elementos ativos dentro dos circuitos integrados e os de efeito de campo (FET) deram a possibilidade de alcançar o nível de integração usado pelas técnicas litográficas atuais.

 

De acordo com o texto científico dos pesquisadores da Universidade de Pequim, eles criaram um transistor de efeito de campo do tipo GAAFET que é 40% mais rápido e 10% mais eficiente em termos energéticos do que os FinFET mais avançados atualmente. Justamente por isso que esse transistor mais rápido e eficiente parece ser algo bem promissor.

 

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CIENTISTAS CHINESES E CRIAÇÃO DO TRANSISTOR MAIS RÁPIDO E EFICIENTE

 

Foto:Reprodução

 

Além disso, empresas como TSMC, Intel e Samsung trabalham com a tecnologia GAAFET, que faz parte do presente dos semicondutores, há anos. Contudo, o transistor mais rápido e eficiente criado pelos cientistas chineses tem um ponto que o diferencia dos outros usados por essas empresas.

 

Ele usa bismuto em vez de silício, o que, de acordo com os cientistas, dá aos transmissores a possibilidade de superar as limitações impostas pelo silício na implementação de circuitos integrados que vão além dos 3 nm.

 

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“É o transistor mais rápido e eficiente já criado […] Se as inovações em chips baseadas em materiais existentes são consideradas um atalho, então nossos transistores baseados em materiais 2D são como ‘mudar de faixa’ […] Nossa pesquisa demonstra que os GAAFETs 2D exibem desempenho e eficiência energética comparáveis aos transistores comerciais de silício, o que os torna candidatos promissores para a próxima geração de semicondutores”, disse Peng Hailin, professor de química física na Universidade de Pequim e líder do estudo.

 

Fonte: Xataka  

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